Questão 1935552

Engenharia Mecatrônica · 2015

Questão

ID 1935552

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2015 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Telecomunicações Brasileiras S.A.

Acerca de diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de campo, julgue os próximos itens.

Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.

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