Questão 1918093

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1918093

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará


Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.



Em um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a concentração de elétrons livres no emissor, maximizando a recombinação na base. Ainda para maximizar a recombinação na base, busca-se garantir que a base tenha a maior largura possível. Esse aumento da recombinação resulta no aumento do β (beta) do transistor, que é uma característica geralmente desejada em transistores bipolares.

Alternativas da questão 1918093
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