Questão
ID 1618182Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2013 Banca: COMPERVE UFRN - Comissão Permanente do Vestibular da Universidade Federal do Rio Grande do Norte Órgão: Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Usando o fato de que um diodo de silício tem Is=10-14 A a 25 oC e que Is aumenta em 15% por oC de aumento na temperatura, o valor de Is a 125oC será, aproximadamente,