Questão
ID 1567370Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Fontes, Retificadores e Inversores Estáticos
Ano: 2009 Banca: VUNESP - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista Órgão: Companhia Energética de São Paulo
Ao se compararem tipos de transistores de potência, tem-se que
I. IGBT possui elevada impedância de entrada.
II. O MOSFET possui elevada impedância de entrada.
III. O IGBT é utilizado para a comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade.
Está correto o contido em