Questão 1566658

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2024

Questão

ID 1566658

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2024 Banca: Instituto Verbena Órgão: Ministério Público do Estado de Goiás

Com relação aos dispositivos semicondutores de potência,

Alternativa A:
o transistor bipolar de maior potência é indicado para aplicação de frequência elevada pela sua alta velocidade de chaveamento.
Alternativa B:
a região ativa do MOSFET é caracterizada pela corrente Id constante para qualquer Vds, ou seja, região de corrente constante.
Alternativa C:
o IGBT apresenta um diodo parasita e a construção do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste diodo.
Alternativa D:
o tiristor é formado por 3 (três) camadas semicondutoras possuindo 3 (três) terminais: anodo, catodo e porta.
Alternativa E:
o transistor bipolar de potência tipo PNP apresenta menores perdas com relação ao tipo NPN e menor tempo de comutação.