Questão
ID 1558292Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2017 Banca: FUNCERN - Fundação de Apoio à Educação e ao desenvolvimento Tecnológico do RN Órgão: Instituto Federal do Rio Grande do Norte
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação \(\frac{W}{L}\) = \(\frac{1μm}{0,5μm}\) em uma tecnologia 0,18 μ m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth μ n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ μ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k Ω com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é