Questão
ID 150835Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo, Potência: Instantânea, Ativa, Reativa, Aparente e Complexa
Ano: 2008 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Empresa Brasileira de Hemoderivados e Biotecnologia
O circuito digital ilustrado acima é constituído por dois transistores NMOS do tipo enriquecimento (Q 1 e Q 2), idênticos, e por um transistor NMOS do tipo depleção (Q 3), que desempenha a função de resistor não linear. O circuito é projetado para trabalhar com dois níveis de tensão de entrada: 0,2 V (nível lógico 0) e 4,0 V (nível lógico 1). Quando Q 1 é alimentado com 4,0 V, a corrente de dreno e a potência estática dissipada correspondentes são 555 µA e 166,5 µW, respectivamente. Com base nessas informações, e sabendo-se que a tensão de limiar de Q 1 é dada por V t = 2,0 V, julgue os próximos itens.
A máxima potência estática dissipada pelo circuito digital é P max = 5,55 mW.