Questão 1488710

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1488710

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Tribunal de Justiça de Rondônia

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

Alternativa A:
Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.
Alternativa B:
Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.
Alternativa C:
Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.
Alternativa D:
Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.
Alternativa E:
Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.

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