Questão 1478054

A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.

Tendo como referência as informações precedentes, julgue os itens que se seguem.

No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por R_L ∙

\(R_{-}L.\begin{Bmatrix} \begin{bmatrix} i_{-}gen - i_{-}0.(e^{qV/(nkT)}-1) \end{bmatrix}-i_{-}sh \end{Bmatrix},\)

em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura e q é a carga do elétron.