Questão
ID 1477983Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2024 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue os itens a seguir.
A resistência elétrica da camada dielétrica de óxido sob a porta metálica do MOSFET é inferior à resistência do canal semicondutor quando polarizado.