Questão
ID 1414100Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2019 Banca: COMPERVE UFRN - Comissão Permanente do Vestibular da Universidade Federal do Rio Grande do Norte Órgão: Universidade Federal do Rio Grande do Norte
Há um dispositivo bipolar de porta isolada, que mescla as características de baixa queda de tensão de saturação do TJB com excelentes características de chaveamento e simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET. O dispositivo que apresenta essas características é