Questão
ID 1388415Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2019 Banca: COMPROV/UFCG Órgão: Universidade Federal de Campina Grande
O Mosfet do circuito da figura abaixo possui Vt = 0,6 V; µn·Cox = 200 µA/V2 , \(\frac{W}{L}=\ 5\) e λ = 0.
Considere que: Vt é a tensão de limiar; µn é a mobilidade de elétrons no canal; Cox é a capacitância por unidade de área entre a porta e a região de canal do Mosfet; W é a largura do canal; L é o comprimento do canal e λ é a modulação de comprimento de canal. Sabendo que o Mosfet está operando na região de saturação e que a corrente no dreno vale 80 µA, é correto afirmar que a tensão no dreno e a resistência R valem, respectivamente:
