Questão 92262

No contexto da física de semicondutores e da microeletrônica, a estrutura MOS (Metal-Óxido-Semicondutor) é fundamental para a fabricação de transistores. Essa estrutura pode ser modelada, em uma primeira aproximação, como um capacitor de placas paralelas. A placa metálica ('gate') e o substrato de silício semicondutor atuam como as placas condutoras, separadas por uma fina camada de dióxido de silício (SiO₂), que funciona como dielétrico. Considere um capacitor MOS com uma camada de óxido de espessura de 10 nm e uma área de gate de 1 µm². A constante dielétrica do SiO₂ é aproximadamente 3.9. Se uma tensão de 1V é aplicada ao gate, qual é a densidade superficial de carga (em C/m²) induzida no semicondutor? (Dado: ε₀ ≈ 8.85 x 10⁻¹² F/m).