Questão
ID 3134495Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2025 Banca: SSPM - Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha Órgão: Marinha do Brasil
Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.