Questão
ID 1985745Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta
rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície.
O processo de deposição ora descrito é conhecido como
rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície.
O processo de deposição ora descrito é conhecido como