Questão
ID 1985731Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com
profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?