Questão
ID 1985723Disciplina: Engenharia Química
Assuntos: Modelagem, Controle e Instrumentação de Processos Químicos
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
I – É um processo controlado pela taxa de reação.
II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.
III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
I – É um processo controlado pela taxa de reação.
II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.
III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).