Questão 1985719 de Física - FUNRIO 2012

Questão

ID 1985719

Disciplina: Física

Assunto: Física de Semicondutores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

Alternativa A: Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
Alternativa B: Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
Alternativa C: Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir
com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
Alternativa D: Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
Alternativa E: Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de
colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.