Questão 1985716

Física · 2012

Questão

ID 1985716

Disciplina: Física

Assunto: Física de Semicondutores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

Alternativa A: Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
Alternativa B: Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
Alternativa C: Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
Alternativa D: Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
Alternativa E: Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.