Questão
ID 1985711Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a
implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?
implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?