Questão
ID 1985707Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com
profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?