Questão
ID 1985696Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:
1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes
2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga
nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs
3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado
Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:
1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes
2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga
nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs
3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado
Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas: