Questão 1985635

Física · 2012

Questão

ID 1985635

Disciplina: Física

Assunto: Física de Semicondutores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

Alternativa A: Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de
recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
Alternativa B: Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de
reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
Alternativa C: Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
Alternativa D: Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do
substrato de Si.
Alternativa E: Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo
de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.