Questão
ID 1985617Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do
óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?
óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?