Questão
ID 1985608Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?
1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.
2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.
3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.
Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):
1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.
2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.
3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.
Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):