Questão
ID 1985582Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro,
dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia
CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?
dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia
CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?