Questão
ID 1918094Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará
Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.
A difusão e a deriva são os mecanismos responsáveis pela movimentação de lacunas e elétrons em um cristal de silício. A deriva está associada ao movimento aleatório dos elétrons e das lacunas, em decorrência da agitação térmica, e, por isso, a corrente de deriva é diretamente proporcional ao gradiente de concentração de portadores. Por outro lado, a corrente de difusão de elétrons ou de lacunas é diretamente proporcional à intensidade do campo elétrico.