Questão 1477667

Física · 2008

Questão

ID 1477667

Disciplina: Física

Assunto: Física de Semicondutores

Ano: 2008 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer


O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.



O substrato que foi dopado por implantação iônica normalmente se torna quase amorfo devido aos danos causados pelos íons de alta energia durante a implantação, e não há nada que possa ser feito para restaurar a sua condição cristalina anterior.

Alternativas da questão 1477667
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