Questão 1477650

Física · 2008

Questão

ID 1477650

Disciplina: Física

Assunto: Física de Semicondutores

Ano: 2008 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer


Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.



Nas técnicas de epitaxia por fase líquida e por fase vapor, o crescimento de cristais semicondutores ocorre em condições de não-equilíbrio, diferentemente da técnica de epitaxia por feixe molecular, que se desenvolve em condições de quase-equilíbrio, sendo que o principal processo é o da cinética da superfície.

Alternativas da questão 1477650
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